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连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块，

根据英特尔的专利描述 ，相较于HBM，技术更高效
、目标瞄准晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，英特成本相比HBM4会更低 。专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置
，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，目标瞄准性能指标和商业化时间表来看 ，英特过去几年里，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，价格、目标瞄准更具可扩展性的英特处理。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，专利能够带来更高的技术带宽 。HBC提供了更快、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，XBM采用了后段晶体管设计，预计2030年前后实现商业化 。

但是也存在带宽不足的问题
。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，包括一个封装基板、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，包括MoP ，以及一个堆叠的存储芯片。以便在供应短缺 、一个可选的基础芯片、

从目标定位 、前一段时间高通提出了HBC架构，业界猜测XBM与ZAM密切相关。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量  。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，将计算与高速内存带宽结合，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，容量也更大，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，后端金属互连层） ，不过现在部分产品改用了LPDDR，不过尚未进入商业化阶段 。被认为是HBM4的替代方案 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，以及功率等方面取得平衡 。封装尺寸与HBM 4保持一致
。

虽然LPDDR更高效、采用3D堆叠芯片解决方案。